報道稱，物理學(xué)家已經(jīng)為這個問題提供了解決辦法。殷華湘說，他的團(tuán)隊使用一種稱為“負(fù)電容”的方法，這樣他們能用理論上所需最小電量的一半電量來為晶體管提供電力。這種晶體管實現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用可能要花幾年時間。該團(tuán)隊正在進(jìn)行材料和質(zhì)量控制方面的工作。
殷華湘說：“這是我們工作中最激動人心的部分。這不僅是實驗室中的又一項新發(fā)現(xiàn)。它有著實際應(yīng)用的巨大潛力。而我們擁有專利。”
報道稱，殷華湘說，這項突破將讓中國“在芯片研發(fā)的前沿同世界頭號角色進(jìn)行正面競爭”。他說：“在過去，我們看著其他人競爭?，F(xiàn)在，我們在同其他人競爭。”
據(jù)報道，中國還在研發(fā)一種原子大?。?.5納米）的晶體管，而其他國家已經(jīng)加入將3納米晶體管投入市場的競賽。
韓國三星公司說，它計劃到明年上半年完成3納米晶體管的研發(fā)。三星說，同7納米技術(shù)相比，用它的3納米晶體管制造的處理器只需用一半的電力，性能卻會提高35%。三星沒有說它預(yù)計這些芯片將于何時投產(chǎn)。
