臺(tái)海網(wǎng)1月23日訊 據(jù)大田縣融媒體中心報(bào)道   近日，江蘇省人民政府網(wǎng)站發(fā)布《省政府關(guān)于2020年度江蘇省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)的決定》。決定授予中國(guó)工程院院士、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十四研究所教授賁德和中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓2020年度江蘇省科學(xué)技術(shù)突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)。

【院士簡(jiǎn)介】

鄭有炓，男，漢族，1935年10月出生于福建省大田縣，1953-1957年就讀南京大學(xué)，57年畢業(yè)于我國(guó)首屆五校聯(lián)合半導(dǎo)體專業(yè)，1984年被受國(guó)家委派參加首批中美凝聚態(tài)物理合作研究計(jì)劃（1984-86）。自1957年至今一直在南京大學(xué)從事半導(dǎo)體材料與器件的教學(xué)科研工作，2003年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。研究成果獲2003年國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、2016年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、1999年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明三等獎(jiǎng)等國(guó)家和省部級(jí)科技獎(jiǎng)共10項(xiàng)。

鄭有炓院士在半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件研究上，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)做出了系統(tǒng)性和創(chuàng)造性的突出貢獻(xiàn)：倡導(dǎo)并推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體的研究和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)突破了一系列氮化鎵生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)我國(guó)氮化物半導(dǎo)體生長(zhǎng)設(shè)備零的突破，首次研制出GaN基微波異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件材料并與中電55所合作研制出我國(guó)首支GaN基微波功率器件，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)第一塊2吋氮化鎵自支撐襯底，發(fā)展了氮化鎵LED新技術(shù)，引領(lǐng)了紫外探測(cè)與成像技術(shù)， 推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體研究及產(chǎn)業(yè)躋身于國(guó)際前列，為我省固態(tài)照明和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出了重大貢獻(xiàn)；作為鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究先行者，發(fā)明快速輻射加熱超低壓CVD原子級(jí)外延方法，制備出高質(zhì)量鍺硅應(yīng)變層超晶格量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，創(chuàng)新研制出第一支高響應(yīng)度鍺硅紅外探測(cè)器和國(guó)內(nèi)第一支鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管；作為硅納米結(jié)構(gòu)及器件研究的開(kāi)拓者，發(fā)明精準(zhǔn)定位硅納米線制備新方法，研制出超細(xì)溝道納米點(diǎn)MOSFET，以科技創(chuàng)新支撐摩爾定律下信息器件的持續(xù)發(fā)展。

鄭有炓院士在人才培養(yǎng)與學(xué)科建設(shè)上兢兢業(yè)業(yè)，身先示范，立德樹(shù)人，培養(yǎng)造就了一支充滿創(chuàng)新活力的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)，包括6位長(zhǎng)江特聘教授、8位國(guó)家杰青、6位國(guó)家973計(jì)劃（重點(diǎn)研發(fā)專項(xiàng)）首席科學(xué)家，以及2個(gè)國(guó)家基金委創(chuàng)新群體和1個(gè)科技部創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，獲江蘇省教育系統(tǒng)先進(jìn)工作者等稱號(hào)；他不忘初心、堅(jiān)韌不拔，面向國(guó)家重大需求，年過(guò)八旬依然奮戰(zhàn)科教第一線，致力指導(dǎo)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展，為我國(guó)半導(dǎo)體材料與器件的科研攻關(guān)再闖新路、再求突破、再攀高峰。（來(lái)源：大田縣融媒體中心）