9月11日，在位于合肥市的聚變堆主機關(guān)鍵系統(tǒng)綜合研究設施園區(qū)內(nèi)，科研人員在查看離子回旋加熱系統(tǒng)的運行狀態(tài)。

  9月11日，由中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院等離子體物理研究所牽頭承擔，國家“十三五”重大科技基礎設施聚變堆主機關(guān)鍵系統(tǒng)綜合研究設施項目（CRAFT）取得重大進展，其關(guān)鍵子系統(tǒng)——離子回旋加熱系統(tǒng)（ICRF）順利通過專家組驗收，標志著我國在高功率射頻加熱技術(shù)領域取得新突破。

  離子溫度是聚變堆“點火”的關(guān)鍵參數(shù)。在氘氚聚變反應中，離子溫度需達到上億攝氏度并自持燃燒，ICRF可直接加熱等離子體中的離子，有效提升反應概率。

  研究人員表示，該系統(tǒng)的成功驗收，標志著團隊成功突破相關(guān)技術(shù)壁壘，解決了離子回旋加熱系統(tǒng)核心技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了全鏈路國產(chǎn)化與自主可控，具有重要工程應用價值。未來，相關(guān)技術(shù)還可拓展應用于運載推進、半導體、醫(yī)療健康、電子科技等領域。

  新華社記者 張端 攝

  這是9月11日在合肥拍攝的離子回旋加熱系統(tǒng)。

  9月11日，由中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院等離子體物理研究所牽頭承擔，國家“十三五”重大科技基礎設施聚變堆主機關(guān)鍵系統(tǒng)綜合研究設施項目（CRAFT）取得重大進展，其關(guān)鍵子系統(tǒng)——離子回旋加熱系統(tǒng)（ICRF）順利通過專家組驗收，標志著我國在高功率射頻加熱技術(shù)領域取得新突破。

  離子溫度是聚變堆“點火”的關(guān)鍵參數(shù)。在氘氚聚變反應中，離子溫度需達到上億攝氏度并自持燃燒，ICRF可直接加熱等離子體中的離子，有效提升反應概率。

  研究人員表示，該系統(tǒng)的成功驗收，標志著團隊成功突破相關(guān)技術(shù)壁壘，解決了離子回旋加熱系統(tǒng)核心技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了全鏈路國產(chǎn)化與自主可控，具有重要工程應用價值。未來，相關(guān)技術(shù)還可拓展應用于運載推進、半導體、醫(yī)療健康、電子科技等領域。

  新華社記者 張端 攝

  9月11日，在位于合肥市的聚變堆主機關(guān)鍵系統(tǒng)綜合研究設施園區(qū)內(nèi)，科研人員在查看離子回旋加熱系統(tǒng)的運行狀態(tài)。

  9月11日，由中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院等離子體物理研究所牽頭承擔，國家“十三五”重大科技基礎設施聚變堆主機關(guān)鍵系統(tǒng)綜合研究設施項目（CRAFT）取得重大進展，其關(guān)鍵子系統(tǒng)——離子回旋加熱系統(tǒng)（ICRF）順利通過專家組驗收，標志著我國在高功率射頻加熱技術(shù)領域取得新突破。

  離子溫度是聚變堆“點火”的關(guān)鍵參數(shù)。在氘氚聚變反應中，離子溫度需達到上億攝氏度并自持燃燒，ICRF可直接加熱等離子體中的離子，有效提升反應概率。

  研究人員表示，該系統(tǒng)的成功驗收，標志著團隊成功突破相關(guān)技術(shù)壁壘，解決了離子回旋加熱系統(tǒng)核心技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了全鏈路國產(chǎn)化與自主可控，具有重要工程應用價值。未來，相關(guān)技術(shù)還可拓展應用于運載推進、半導體、醫(yī)療健康、電子科技等領域。

  新華社記者 張端 攝