現(xiàn)在的存儲技術(shù)有兩種，一種是以內(nèi)存為代表的易失性存儲，速度很快，但斷電后數(shù)據(jù)就沒有，無法保存；另一種是以U盤為代表的非易失性存儲，斷電后依然能夠保存數(shù)據(jù)，但缺點(diǎn)就是讀寫速度慢。
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的團(tuán)隊(duì)則研發(fā)出了第三種存儲技術(shù)，既能保證超高的讀寫速度，又能保證斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。據(jù)團(tuán)隊(duì)人員介紹，基于這項(xiàng)技術(shù)制作的存儲元器件，其寫入速度將會比普通U盤快上10000倍。
而且這項(xiàng)技術(shù)還有比較厲害的地方，那就是能夠按需對數(shù)據(jù)的存儲時(shí)長進(jìn)行調(diào)整。它的原理是，這種技術(shù)采用了多重二維半導(dǎo)體材料，只要通過對材料比例的控制，便可以控制寫入速度與斷電數(shù)據(jù)保留時(shí)長的比例。
目前這項(xiàng)技術(shù)還僅僅存在于實(shí)驗(yàn)室中，不過這項(xiàng)技術(shù)誕生于中國復(fù)旦大學(xué)，看來中國研發(fā)已經(jīng)看齊世界水平。
